主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、太阳能电池、热电转换元件、致冷元件、气敏、热敏、压敏、光敏、压电晶体、核辐射探测、红外探测器等基础材料。

主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、高纯合金、电池、焊料和原子反应堆中控制棒等、太阳能电池、红外探测器等。

主要用于制备化合物半导体、制作ZnxCd1-xTe、ZnP、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSb等基础材料、还原剂、合金及汽车工业中的精密铸件、各种高纯金属盐和高纯金属有机化合物等。